技术碾压全球，ASML表示已经向1nm光刻机进发

近期，ASML 产品营销总监 Mike Lercel 向外界分享了 EUV（极紫外）光刻机的最新进展。

据了解，目前 ASML 的主力出货 EUV 光刻机分别是 NXE：3400B 和 3400C 两款。目前这两款机型的数值孔径（NA）均为0.33，其中更新一款的 3400C 的可用性已经达到 90% 左右。

根据 ASML 的猜测，到今年年底，NXE：3600D 将会开始进行交付。该设备的匹配套精准度提升了，在 30mJ/cm2 下的晶圆通量达到 160片，相比 3400C 提高18%，将会成为未来台积电和 Samsung 3nm工艺最为主要的设备。

除此之外，ASML 还公布了未来的三代光刻机研发计划，了解到三款机型的型号分别是NEXT、EXE：5000 和 EXE:5200。制作工艺从 EXE：5000 为节点，将数值孔径提高到0.55。

0.55NA 比 0.33NA 有着巨大的提升，包括更高的对比度，图像曝光成本更低等等，是未来发展的趋势。

由于目前硅片、曝光洁净室已经逼近物理极限，现在的 5nm/7nm 光刻机变得十分精密，设备零件多达10万+零件、体积为 40个货柜。据悉 1nm 的光刻机体积要比现在 3nm 的多出一倍，简直难以想像。

由于光刻机拥有非常多的零件，需要高精度的装配，导致光刻机从发货到配置/培训的整个流程需要长达两年时间。按照这个来参考推算，预计0.55NA 的大规模应用得到2025~2026年了。