ASML 第二代 EUV 曝光机开发传瓶颈,神队友救援力拼原时程问世



极紫外光曝光机(EUV)目前是先进半导体制程,不论 DRAM 或晶圆代工生产提升效能的关键。荷兰商艾司摩尔(ASML)是全球唯一量产 EUV 曝光机的厂商,台积电、三星、英特尔先进制程都依赖 EUV 曝光机生产。现阶段每台曝光机单价将近 1.5 亿美元,但 ASML 的 EUV 曝光机目前出货都是光源波长 13.5 奈米左右的第一代产品,物镜 NA 数孔径是 0.33,据 ASML 表示,第二代 EUV 曝光机已进入开发阶段。

首代 EUV 曝光机量产型号为 NXE:3400B,产能为每小时 125PWH。ASML 目前出货主力是 NXE:3400C,产能提升到 135WPH。预计 2021 年底还有 NXE:3600D 系列产品将推出,产能再提升到 160WPH。只不过价格也会提升到 1.45 亿美元左右。

为了提升生产效率,ASML 第二代 EUV 曝光机型号将是 NXE:5000 系列,物镜 NA 值将升到 0.55,提高曝光精准度。然而第二代 EUV 曝光机研发阶段遭遇瓶颈,原本预计最快 2023 年问世,传出可能延后到 2025~2026 年,延后近 3 年,市场人士担心将影响半导体制程研发。

不过虽遭遇研发瓶颈,却有神队友救援。外电报导指出,日本最大半导体镀膜极蚀刻设备公司东京电子(东京威力科创 Tokyo Electron)宣布,镀膜/显影技术将与 ASML 合作,联合发展下一代 EUV 曝光机生产,维持 2023 年问世。除了东京电子,比利时微电子研究中心(IMEC)也是合作伙伴。

东京电子指出,藉旋金属抗蚀剂以显示高分辨率和高蚀刻电阻,有望使图案更精细。含金属的抗蚀剂需控制复杂的图案尺寸,以及掌握芯片背面/斜面金属污染程度。为了应付挑战,涂层/开发人员正在联合高 NA 实验室安装先进制程模组,处理含金属抗蚀剂。

0.55 NA 值的第二代 EUV 曝光机比第一代 0.33 NA 值的 EUV 曝光机有更多优势,包括更高对比度、图形曝光更低成本、更高生产效率等。有消息指出,ASML 已出货的 NXE:3400B / 3400C 系列曝光机,乃至 2021 年底问世的 3600D 系列曝光机,都会称为首代 EUV 曝光机,因物镜 NA 都为 0.33。第二代即是 NA 提升至 0.55 的系列产品。因效能提升,第二代 EUV 曝光机造价势必大幅上扬,届时生产芯片价格也将水涨船高,产品售价不会太亲民也是想当然尔的事。

(首图来源:ASML)

2021-06-11 05:08:00
标签:   资讯头条 kotoo科技资讯 kotoo科技 kotoo科技资讯头条 科技资讯头条 KOTOO商业产经 新闻网 科技新闻网 科技新闻 Kotoo科技新闻网 Kotoo Kotoo科技新闻网 科技新闻 科技新闻网 新闻网 KOTOO商业产经 科技资讯头条 kotoo科技资讯头条 kotoo科技 kotoo科技资讯 Kotoo Kotoo科技新闻网 科技新闻 科技新闻网 KOTOO商业产经 科技资讯头条 kotoo科技资讯头条 kotoo科技 kotoo科技资讯 资讯头条
返回顶部
跳到底部

Copyright 2011-2024 南京追名网络科技有限公司 苏ICP备2023031119号-6 乌徒帮 All Rights Reserved Powered by Z-BlogPHP Theme By open开发

请先 登录 再评论,若不是会员请先 注册