AMD 说明 3D 封装技术,将改变芯片设计概念



8 月 22~24 日举行的 Hot Chips 33 半导体产业线上会议,处理器大厂 AMD 说明 3D 堆叠技术发展方向,分享旗下 3D V-Cache 的细节。AMD 表示,封装选择和芯片架构将决定产品性能、功率、面积和成本,AMD 称为 PPAC。如果将发表和即将推出的产品纳入,AMD 有多达 14 种小芯片设计封装架构正在进行。

外媒报导,AMD 负责封装技术发展的高级研究员 Raja Swaminathan 表示,并非每个解决方案都适合所有产品。即使未来模组化设计和协调封装架构已是业界共识,且各厂商展示的解决方案都证明这点。因成本问题,并非所有方案都适合消费市场。如装有 3D 垂直暂存(3D V-Cache)技术的 Zen 3 架构桌上型处理器,要有 12 核心以上或 16 核心,并提供 L3 暂存内存的处理器才适用。

6 月 AMD 就介绍过 3D 垂直暂存技术是采用台积电 SoIC 技术。随着硅通孔(TSV)增加,未来 AMD 会专注更复杂的 3D 堆叠技术,如核心堆叠核心、IP 堆叠 IP 等项目,最终硅通孔间距会非常紧密,以至于模组拆分、折叠,甚至电路拆分都成为可能,彻底改变目前对处理器的认知。

AMD 还分享一些用在 Zen 3 架构处理器的 3D V-Cache 技术,使用 3D 微突(Micro Bump)和硅通孔互连方案,结合全新亲水介电键合与 Direct CU-CU 键合技术。混合键合间距仅 9µ,小于英特尔 Forveros 互连的 10µ。AMD 预计 3D Chiplet 技术能提供 3 倍互连能效,以及 15 倍互连密度。

(首图来源:AMD)

2021-08-24 02:13:00
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