追赶三星,铠侠 NAND 新厂传 2022 年春动工、规模最大



追赶三星,全球第二大 NAND 型闪存(Flash Memory)厂铠侠(Kioxia,旧称东芝内存)传出将在明春动工兴建 NAND 新厂,总投资额达 2 兆日圆,且该新厂将成为铠侠旗下最大规模厂房。

日刊工业新闻10日报导,铠侠计划在NAND Flash生产据点“北上工厂”(岩手县北上市)兴建的第二厂房(K2)将在2022年春天动工,预计2023年启用生产,且K2厂房规模将达在2020年上半年开始进行生产的第一厂房(K1)2倍,将成为铠侠旗下最大规模的厂房,期望借此追赶全球龙头厂三星电子。

据报导,K2所需的生产设备主要将从四日市工厂(三重县四日市)转移过来,包含补充四日市工厂设备的费用计算,总投资额将达2兆日圆。为了加强先进半导体的生产,日本-已编列6,170亿日圆资金,而预估K2有可能将成为日本-补助的对象。

报导指出,因近来半导体市场呈现前所未见的活络,导致半导体制造设备、材料交期拉长,加上中国厂商因预估美中对立将加剧、囤货动向猖獗,导致短缺情况更加严重。另外,因除了铠侠之外,台湾台积电、美国美光(Micron)也计划在日本兴建新工厂,因此设备、材料短缺恐对今后的建厂计划造成影响。

铠侠11月12日公布上季(2021年7~9月)财报:因NAND Flash市场供需均衡环境持续稳定,售价扬升,带动合并营收较去年同期大增22%至4,005亿日圆、季度别营收创下历史新高纪录;显示本业获利情况的合并营益暴增294%至780亿日圆、连续第二季呈现盈余;显示最终获利情况的合并纯益狂飙459%至447亿日圆、连续第二季呈现盈余。

铠侠指出,上季NAND Flash出货量(以记忆容量换算)较前一季(2021年4~6月)增加16%~19%;售价扬升约5%,为连续第二季呈现扬升。

关于市场动向及今后展望,铠侠指出,资料中心SSD需求预估将持续强劲,智能手机用需求预估中长期将持续成长,NAND市场中长期呈现成长趋势的市场见解目前未发生太大变化。

(本文由 MoneyDJ新闻 授权转载;首图来源:铠侠)

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  • 尬三星、SK 海力士!日本铠侠传砸 2 兆日圆盖 3D NAND Flash 新厂
2021-12-11 15:00:00
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