环球晶冲刺化合物半导体，徐秀兰：明年产能倍增

半导体硅晶圆厂环球晶积极冲刺化合物半导体碳化硅（SiC）及氮化镓（GaN）领域，董事长徐秀兰表示，明年化合物半导体产能将同步倍增。

徐秀兰今天出席国际光电大展，她受访时说，环球晶明年将同步在美国及台湾扩充化合物半导体产能。预计在美国增设碳化硅磊晶产线，就近服务美国客户，明年1月引进设备，目前产能已被客户预订一空。环球晶同时将扩充台湾碳化硅相关的长晶等产能。

至于氮化镓方面，徐秀兰表示，生产基地主要位于竹南厂，明年磊晶产能将同步扩增1倍规模。她说，因化合物半导体基期低，即便产能倍增，市场供需依然稳健。

徐秀兰表示，许多国家将化合物半导体视为战略管制技术，台湾不易取得国外技术，应结合产、官、学、研界共同努力，建置自主技术及设备。

徐秀兰指出，除环球晶外，中美晶集团旗下的朋程、宏捷科及兆远也都积极投入化合物半导体领域，在这次光电大展的化合物半导体专区一同展出集团发展的成果。

徐秀兰说，中美晶集团成员在化合物半导体领域是各自努力，不过总方向都集中于车用、5G射频及供电系统，若有需要也可相互支援。

至于硅晶圆方面，徐秀兰表示，业界新增产能将于2023年开始少量陆续开出，由于厂商扩产动作理性谨慎，预期届时市场供需仍将维持健康状态。她说，目前硅晶圆产品平均售价上扬，不过运费上扬，还有新增产能，成本压力同步增高。

（作者：张建中；首图来源：环球晶）

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