追赶美光进度,SK 海力士宣布量产第四代 10 奈米级 DRAM



韩国内存大厂 SK 海力士今日官网宣布,旗下第四代 10 奈米级(1a)制程 8Gigabit(Gb)LPDDR4 行动装置专用 DRAM(动态随机内存)产品已于 7 月初量产。

外媒报导,这是 SK 海力士首次采用极紫外光曝光设备 (EUV) 技术量产 DRAM 产品。SK 海力士预计下半年开始供货智能手机厂商第四代 10 奈米级(1a)制程的行动装置专用 DRAM。

市场调查机构《Strategy Analytics》最新研究报告资料指出,2021 年第一季,全球智能手机 DRAM 市场总销金额售额达 114 亿美元,较 2020 年同期成长 21%。依市占率排名,三星以 49% 排第一,SK 海力士排第二,美商美光位列第三。

不过先前韩国媒体报导,市占排名第三的美光 6 月时就宣布量产第四代 10 奈米级(1a)制程 DRAM,并供货 AMD 和 Acer,是世界第一家量产第四代 10 奈米级制程 DRAM 的公司。

相较韩国两家厂商,目前是台湾投资金额最高的外商美光,最新技术不使用 EUV 曝光设备,而采用上一代深紫外 (DUV) 曝光设备。市场人士强调,因 ASML EUV 曝光设备每部造价高达 1.5 亿美元,内存成本较高。美光采用 DUV 曝光设备就能生产内存,成本竞争力将更具优势。美光量产第四代 10 奈米级制程技术的消息也震撼韩国业界。

面对美光,SK 海力士也投资 2 月落成的 M16 新晶圆厂,预计达 8,000 亿韩圜(约新台币 214 亿元)设置生产设备,包括 EUV 曝光机,年底前达每月量产 1.8 万片 12 吋晶圆。美光也不甘示弱,日前财报会议透露正与 ASML 展开采购谈判,预计 2024 年使用 EUV 曝光设备生产内存。就发展趋势观察,内存大厂的 EUV 技术发展竞争将趋白热化。

(首图来源:SK 海力士)

2021-07-13 02:23:00
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