双脉冲测试平台

 

双脉冲测试是表征功率半导体器件动态特性的重要手段，适用于各类功率器件，包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。同时，这项测试发生在器件研发、器件生产、系统应用等各个环节，测试结果有力地保证了器件的特性和质量、功率变换器的指标和安全，可以说是伴随了功率器件生命的关键时刻。
随着先进功率器件的问世以及功率变换器设计愈发精细，器件研发工程师和电源工程师都越来越关注双脉冲测试，工欲善其事，必先利其器，拥有一套双脉冲测试平台是获得正确评估结果的第一步。本文将分享给大家晶源健三双脉冲平台的总体方案。

1、晶源健三-双脉冲测试平台-场景展示图

 

 

 

2、晶源健三-双脉冲测试平台-实物清单：

 

 

 

 

3、晶源健三-双脉冲测试平台-三大特色：
3.1. 简易的双脉冲测试控制界面
·与NXP界面相对比：界面简单、易用、明了
·三模式选择：PWM模式，双脉冲模式 ，短路模式
·SPI灵活配置NXP3100/3160芯片寄存器

 

 

3.2. 低延时的双脉冲发波装置
控制板采用CPLD芯片硬件发波延迟小；

 

 

3.3.灵活多用途的Hitachi Energy 半桥功率模组
·采用低杂感设计的高压DClink电容（含输入滤波模块）
·水道散热器底座
·（580,780,980）SiC模块
·SiC模块驱动板(三合一）
·可配置175度加热台进行高温双脉冲测试

 

 

 

4、晶源健三-双脉冲测试-流程图：

 

 

 

 

5、晶源健三-双脉冲测试项目-满足您所有技术上的想象力

晶源健三实现搭建双脉冲测试平台—功率器件动态参数测试系统，专门用于针对第三代半导体功率器件的动态特性分析测试，解决客户在功率器件动态特性表征中常见的疑难问题,如：

(1) 对比不同产品的参数；

(2) 评估驱动电路的功能和性能；

(3) 获取 SiC MOSFET 在开通和关断过程中的主要参数，以评估栅极驱动取值是否合适；

(4) 开通和关断过程是否有不合适的振荡；

(5) 评估二极管的反向恢复特性和安全裕量；

(6) 测试 SiC MOSFET 的电压尖峰；

(7) 评估 SiC MOSFET 并联均流特性；

(8) 测量系统的杂散电感；

(9) 测量高温条件下，高温对SiC MOSFET的影响，以评估合适的栅极驱动参数

 

6、 欢迎您来电咨询

该系统在晶源健三实验室，现已经开放免费测试名额，将由测试专家提供现场技术指导，为您解决SiC模块的静态及动态参数、在应用级别的准确测试与评价难题。如果你想评估第三代半导体器件性能，如果你想验证所选功率器件是不是符合您的产品设计要求，那就来预约晶源健三先进半导体开放实验室吧！专家指导，精确评估，让您使用无忧！

 

 

 

 

如您有任何测试需求或疑问，请联系感算客服或致电客服电话：400-860-3536，谢谢！